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- 1800℃真空气氛炉
- 真空电阻炉用于在1800℃以下半导体器件、金属材料的热处理和还原性烧结等工艺，也可用于产品的炭化试验。该炉采用硅钼棒加热，日本岛电程序控温仪控制，温控仪可设定40段程序、PID控制参数自整定、并具有断偶、超温...
- http://www.tesedl.com/Product/8735925557.html2015-9-7
- 1700℃真空气氛炉
- 真空电阻炉用于在1800℃以下半导体器件、金属材料的热处理和还原性烧结等工艺，也可用于产品的炭化试验。该炉采用硅钼棒加热，日本岛电程序控温仪控制，温控仪可设定40段程序、PID控制参数自整定、并具有断偶、超温...
- http://www.tesedl.com/Product/2591845226.html2015-9-7
- 1600℃真空气氛炉
- 真空电阻炉用于在1800℃以下半导体器件、金属材料的热处理和还原性烧结等工艺，也可用于产品的炭化试验。该炉采用硅钼棒加热，日本岛电程序控温仪控制，温控仪可设定40段程序、PID控制参数自整定、并具有断偶、超温...
- http://www.tesedl.com/Product/7104564725.html2015-9-7
- 1400℃真空气氛炉
- 真空电阻炉用于在1800℃以下半导体器件、金属材料的热处理和还原性烧结等工艺，也可用于产品的炭化试验。该炉采用硅碳棒加热，日本岛电程序控温仪控制，温控仪可设定40段程序、PID控制参数自整定、并具有断偶、超温...
- http://www.tesedl.com/Product/0765914128.html2015-9-7
- 1200℃真空气氛炉
- 真空电阻炉用于在1800℃以下半导体器件、金属材料的热处理和还原性烧结等工艺，也可用于产品的炭化试验。该炉采用电阻丝加热，日本岛电程序控温仪控制，温控仪可设定40段程序、PID控制参数自整定、并具有断偶、超温...
- http://www.tesedl.com/Product/7869533514.html2015-9-7
- 1100℃箱式气氛炉
- 这款箱式气氛炉以瑞典康泰尔电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，采用外壳整体密封、盖板密封采用硅胶泥、炉门...
- http://www.tesedl.com/Product/8509633034.html2015-9-1
- 1800℃箱式气氛炉
- 这款1800℃气氛箱式炉以进口硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用日本进口氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，采用外壳整体密封、盖板密封采用硅...
- http://www.tesedl.com/Product/491270177.html2015-9-1
- 1700℃箱式气氛炉
- 这款1700℃气氛箱式炉以硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，采用外壳整体密封、盖板密封采用硅胶泥、炉门采...
- http://www.tesedl.com/Product/9486721319.html2015-9-1
- 1600℃箱式气氛炉
- 这款1600℃气氛箱式炉以硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，采用外壳整体密封、盖板密封采用硅胶泥...
- http://www.tesedl.com/Product/17564288.html2015-9-1
- 1400℃箱式气氛炉
- 这款1400℃气氛箱式炉以硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，采用外壳整体密封、盖板密封...
- http://www.tesedl.com/Product/976230240.html2015-9-1